דלגו לתוכן

מגנצ'יפ משיקה MOSFETs חדשים מדור 6, 600V, לשרתי AI וטעינת רכב חשמלי

דה פליי (TheFly)22 ביוני 2026
מגנצ'יפ משיקה MOSFETs חדשים מדור 6, 600V, לשרתי AI וטעינת רכב חשמלי

מגנצ'יפ סמיקונדקטור (MX) הודיעה על השקת שני MOSFETs חדשים מסוג Super Junction במתח 600V, מהדור השישי. הרכיבים נועדו לענות על הדרישות ההולכות וגדלות של ביצועים ויעילות בשרתי בינה מלאכותית (AI), במערכות טעינת רכבים חשמליים (EV) וביישומי הספק תעשייתיים. למוצרים החדשים יש ערכי RDS נמוכים של 36mΩ ו-37mΩ, המסייעים להפחתת הפסדי מוליכות ולשיפור היעילות הכוללת של המרת ההספק. בנוסף, שני הרכיבים משלבים דיודת זנר בין המסופים Gate ו-Source, כדי לספק הגנה משופרת מפני פריקת מטען סטטי (ESD), וכך לשפר את אמינות הרכיב. גודל השבב צומצם משמעותית בהשוואה לדור הקודם, מה שתורם לשיפור רמת האינטגרציה וגמישות התכנון. הדגם MMTB60R037G6FZVRH כולל דיודת גוף מהירת התאוששות (Fast Recovery Body Diode), המסייעת להפחתת הפסדי התאוששות הפוכה ולשיפור ביצועי המיתוג במערכות המרת הספק בתדר גבוה. תכונות אלו הופכות אותו למתאים במיוחד לספקי כוח לשרתי AI, שבהם יעילות, ניהול חום וצפיפות הספק הם שיקולי תכנון קריטיים.

פורסם לראשונה באתר TheFly – מקור מידע סופי בזמן אמת לחדשות פיננסיות שוברות שוק. נסו עכשיו>>

ראו את המניות עם הביצועים הטובים ביותר היום ב-TipRanks >>