אטומרה חותמת על הסכם פיתוח משותף עם IQE

אטומרה חותמת על הסכם פיתוח משותף עם IQE

דה פליי (TheFly)22 באוקטובר 2026

אטומרה (ATOM) הודיעה כי התקשרה בהסכם פיתוח משותף עם IQE plc, ספקית גלובלית של מוצרי וייפרי מוליכים למחצה מורכבים ופתרונות חומרים מתקדמים, כדי להביא לשוק RF GaN בעל ביצועים גבוהים ובעלות משתלמת. שיתוף הפעולה נשען על היישום שעליו אטומרה הודיעה לאחרונה של טכנולוגיית Mears Silicon על מצעי סיליקון עבור RF GaN, ועל המומחיות של IQE באפיטקסיה של מוליכים למחצה מורכבים. במסגרת ההסכם, החברות ישתפו פעולה כדי להדגים אפיטקסיית GaN על וייפרי סיליקון של אטומרה עם MST. עם מיקוד ראשוני ביישומי RF GaN-on-silicon, העבודה נועדה להדגים ליניאריות והפסד ברמה הטובה ביותר עבור שווקי RF בהיקפים גבוהים. אטומרה ו-IQE צופות תהליך פיתוח רב-מחזורי, שבו צוותי ההנדסה של שתי החברות יעבדו יחד כדי לייעל את המבנה הרב-שכבתי ולאתר את חומר ה-RF בעל הביצועים הגבוהים ביותר. הסכם הפיתוח המשותף גם משאיר מקום לחברות להרחיב את עבודתן, הן כדי לשפר עוד את RF GaN והן כדי לקדם שימושים נוספים ב-GaN, כולל אלקטרוניקת הספק. הפרויקט יתמקד בייצור ובבדיקה של וייפרי GaN-on-silicon עם MST, במטרה לפתח במהירות את חומר ה-GaN-on-silicon עם MST הטוב ביותר שניתן להשיג, ולהעמיד דגימות לזמינות לצורך מעורבות עם לקוחות פאונדרי, IDM וחברות fabless.