Guerrilla RF מרחיבה את התמיכה בתכנון GaN ומתחילה לדגום מכשירים חדשים

Guerrilla RF מרחיבה את התמיכה בתכנון GaN ומתחילה לדגום מכשירים חדשים

דה פליי (TheFly)20 באוקטובר 2026

Guerrilla RF, Inc (GUER) הודיעה כי מודלים חדשים של סימולציה לא-ליניארית עבור טרנזיסטורי ההספק מבוססי גליום ניטריד GRF0005 ו-GRF0012 זמינים כעת בספריית Modelithics COMPLETE. החברה גם הודיעה כי היא החלה לדגום שלושה רכיבי GaN-on-Silicon Carbide חדשים בהספק גבוה, המיועדים גם לשווקים המסחריים וגם לשוקי התעופה והביטחון. במיוחד, האופי הרחב-פס של המכשירים האלה הופך אותם למתאימים במיוחד ליישומי Tactical Radio, UAS ו-C-UAS. המודלים הלא-ליניאריים החדשים של GRF0005 ו-GRF0012 נוספו לספריית Modelithics COMPLETE; הדגימות של GRF0051, GRF0110 ו-GRF0150 זמינות כעת עבור יישומי Tactical Radio, UAS ו-C-UAS. Modelithics מספקת מודלי סימולציה ל-RF ולמיקרוגל המבוססים על מדידות, שבהם מהנדסים משתמשים בתוכנות אוטומציה לתכנון אלקטרוני כדי להעריך את ביצועי הרכיבים לפני בניית החומרה. המודלים החדשים של GRF0005 ו-GRF0012 מרחיבים את התמיכה בתכנון בכל פורטפוליו ה-GaN של Guerrilla RF, Inc, מ-5 ואט עד 150 ואט. GRF0005 ו-GRF0012 הם רכיבים בהספק של 5 ואט ו-12 ואט, בהתאמה, ושניהם פועלים מ-DC ועד 12 גיגה-הרץ. ליבות הטרנזיסטורים האלה תומכות באופן מובנה בהפעלה ב-40V, וגם תואמות למסילות אספקת מתח של 28V. יחד עם ששת מודלי ה-GaN שעליהם הוכרז מוקדם יותר השנה, שני המודלים החדשים מרחיבים את גישת הלקוחות לכלי סימולציה התומכים בפעילות design-in, מקצרים את מחזורי הפיתוח ומקדמים את האימוץ של פורטפוליו ה-GaN בהספק גבוה של Guerrilla RF, Inc.